Wäre es nicht geschickter (und günstiger), den Mosfet am Ausgang zu überdimensionieren und dann eine kleine, steckbare SMD-Sicherung an der gemeinsamen Plusleitung zu nehmen?
Alles andere ist schon ein riesen Aufwand...und ich sehe den Mehrwert ehrlich gesagt nicht. Es gibt auch (bezahlbare) Mosfets, die ohne Probleme 40A oder mehr schalten können...die muss man bei einem Kurzschluss der (dünnen) Leitung zu den LEDs auch erstmal zusammenbekommen bzw. das Netzteil muss das ja auch liefern können. Bevor es hier zu einem Schaden am Mosfet kommt, hat die Sicherung ausgelöst.
Was auch denkbar wäre, wenn der µC noch einen Analogeingang über hat: kleiner Shunt in die gemeinsame Plusleitung, Spannungsdifferenz messen und bei Überstrom einfach den/die schon vorhandenen Mosfets abschalten. Wenn die Mosfets genug Leistungsreserve haben, müsste das reichen, auch wenn das Lesen des Analogeingangs etwas Zeit braucht. Oder halt auf die µC-Auswertung verzichten und einen OP-Amp nehmen, der die Spannungsdifferenz misst und den Mosfet innerhalb ein paar µs abschaltet. Prinzipiell könnte man sogar die DS-Strecke des Mosfet zur Spannungsdifferenzmessung nehmen...da müsste man mal ins Datenblatt schauen, wie groß die Toleranz des Rds(on) ist...
Alles andere ist schon ein riesen Aufwand...und ich sehe den Mehrwert ehrlich gesagt nicht. Es gibt auch (bezahlbare) Mosfets, die ohne Probleme 40A oder mehr schalten können...die muss man bei einem Kurzschluss der (dünnen) Leitung zu den LEDs auch erstmal zusammenbekommen bzw. das Netzteil muss das ja auch liefern können. Bevor es hier zu einem Schaden am Mosfet kommt, hat die Sicherung ausgelöst.
Was auch denkbar wäre, wenn der µC noch einen Analogeingang über hat: kleiner Shunt in die gemeinsame Plusleitung, Spannungsdifferenz messen und bei Überstrom einfach den/die schon vorhandenen Mosfets abschalten. Wenn die Mosfets genug Leistungsreserve haben, müsste das reichen, auch wenn das Lesen des Analogeingangs etwas Zeit braucht. Oder halt auf die µC-Auswertung verzichten und einen OP-Amp nehmen, der die Spannungsdifferenz misst und den Mosfet innerhalb ein paar µs abschaltet. Prinzipiell könnte man sogar die DS-Strecke des Mosfet zur Spannungsdifferenzmessung nehmen...da müsste man mal ins Datenblatt schauen, wie groß die Toleranz des Rds(on) ist...
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